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GaN开发的PC200资料的特色及运用时的要害

发布时间: 2023-08-26 08:01:05 |   作者: 耐高温工程材料

  中运用铁氧体资料,但依据驱动频率的不同,磁芯损耗(铁耗)会有很大的改变,这是变压器规划的要害。本文将介绍为GaN开发的PC200资料的特色及运用时的要害。

  PC200资料是一种铁氧体资料,在700 kHz~4 MHz的频率之间损耗小,在1.8 MHz~2 MHz左右之间电能转化才能最大。

  例如,为了按捺蓄电池电压的电压变化,轿车的ECU有必要搭载DC-DC转化器,可是为了EMI对策,开关频率上升到了防止AM带的频率(1.8~2.2MHz)。

  动作磁通密度经过以下公式核算,遭到饱满磁通密度或磁芯损耗约束的值为规划值。

  回扫、顺向式转化器中,在300KHz以下动作时受饱满磁通密度约束,在榜首第三象限运用LLC共振、全桥式等B的电路时受磁芯损耗的约束。

  如图6所示,在大磁通下使PC200资料动作时,μi添加20%,磁芯损耗添加130%。

  运用PC200资料规划产品时,推荐在Hdc=50(A/m)以下的条件下运用。

  ,因为具有宽带隙、高饱满漂移速度、高临界击穿电场等杰出长处,与刚石等半导体

  的,但直到20世纪90年代初,JEDEC才拟定了规范。现在尚不清楚JEDEC硅

  将在高功率、高频率射频商场及5G 基站PA的有力候选技能。未来预估5-10年内

  将快速兴起并占有八成得半导体商场需求。。。以下内容均摘自网络媒体,假如不当,请联络站内信进行删去

  )以其杰出的物理化学和电学功用成为继榜首代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后快速地发展起来的第三代半导体

  与器材手册编号:JFSJ-21-059III族氮化物半导体的光学特性介绍III 族氮化物

  可完成比硅基表亲更小,更快,更牢靠的器材,并具有更高的功率,这些功用使得在各种电源使用中削减分量,体积和生命周期本钱成为可能。 Si,SiC和

  ,该器材可被用于适配器、DC-DC转化、无线充电、激光雷达等使用场合。 图1 半导体

  。 现在嵌入式体系技能己经成为了最抢手的技能之一,招引了大批的优秀人才投入其间。

  研讨与使用和运用远景 /

  铁氧体磁材,其具有高频低损耗的特性。该磁材专门为电源及变频器(装备根据

  首要使用于偏低压使用例如800V以下的使用,像高功率密度DC/DC电源的40V-

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